Лазерный сканирующий микроскоп OLYMPUS LEXT OLS4100
Лазерный сканирующий микроскоп OLYMPUS LEXT OLS4100


Микроскопы Olympus отвечают последним требованиям к точности измерения и расширяется область применения систем визуализации нано-уровня, Новый LEXT OLS4100 устанавливает новые стандарты в 3D лазерной микроскопии.


Преимущества лазерных сканирующих микроскопов:

  • Бесконтактное, неразрушающее, быстрое отображение и измерение.
    - Бесконтактное, неразрушающее измерение
    Лазерные сканирующие микроскопы (ЛСМ) применяют маломощное лазерное излучение, которое не имеет механического контакта с образцом. Значит Вы не рискуете повредить Ваш образец, как в случае использования систем для измерения шероховатости контактного типа
    - Получение изображения без подготовки образца
    Сканирующий электронный микроскоп (СЭМ) требует качественной пробоподготовки перед наблюдением, такой как ионная бомбардировка или механическая обработка образца для придания образцу нужных размеров и форм, соответствующих рабочей камере. ЛСМ позволяет измерять образцы без какой-либо пробоподготовки образца. Кроме того, изображение можно получить сразу после размещения образца на предметном столике.
  • Высококачественные измерения по осям X-Y
    - Точное измерение субмикронных расстояний по осям X-Y
    Так как интерферометр встроен в конструкцию оптического микроскопа, работающего в белом свете, его характеристики зависят от латерального разрешения оптического микроскопа. Используя объектив с более широкой апертурой и меньшую длину волны лазера, ЛСМ имеет более высокое латеральное разрешение. Лазерный фокус можно перемещать по интересующей поверхности с очень высокой точностью при помощи встроенной в микроскоп системы сканирования. На основании полученных изображений ЛСМ может осуществлять субмикронные измерения в плоскости X-Y с очень высоким разрешением на различных типах образцов. Латеральное разрешение микроскопа LEXT OLS4100 достигает 0,12 микрон.
  • Высококачественные измерения в направлении оси Z
    - Точное измерение субмикронных высот в направлении оси Z
    ЭСМ позволяет получить изображения с высоким разрешением, но без информации о высоте. В ЛСМ используется коротковолновый полупроводниковый лазер и конфокальная оптическая система. За счет них микроскоп позволяет получать информацию только на фокусном расстоянии объектива, все остальное фильтруется. В сочетании с высокоточной линейной шкалой эти системы позволяют обрабатывать изображения с высоким разрешением и проводить точные 3D-измерения. Разрешение микроскопа LEXT OLS4100 по оси Z достигает 10 нанометров.

Более широкий диапазон задач:

  • Отображение объектов с углом наклона до 85°
    Благодаря специально разработанным для Lext объективам с высокими значениями численных апертур и специальной оптической системе микроскопа LEXT OLS4100 можно достоверно измерять остроугольные образцы, которые ранее было невозможно измерить. Такая функция позволяет более точно измерять микронеровности на наклонной поверхности
  • Измерения микропрофиля с разрешением по высоте 10 нанометров
    Благодаря коротковолновому лазерному излучению с длиной волны 405 нм и специ- альному объективу с более высокой апертурой доступно разрешение до 0,12 мкм в плоскости XY. Как результат, Lext OLS4100 позволяет проводить субмикронные измере- ния поверхности образца. Используя высокоточную линейную шкалу с разрешением 0,8 нм и функцию построения кривой I-Z (I-Z curve) (см. страницу 23), OLS4100 может различать разницу в высоте порядка 10 нанометров или меньше.
  • Преодоление различий в отражающей способности
    Конструкция Lext OLS4100 отличается наличием двойной конфокальной системы, включающей две пиноли. В комбинации с высокочувствительной CCD-матрицей эта система позволяет получать оптимальную информацию о параметрах поверхности образца, состоящего из материалов с различными отражающими характеристиками.
  • Исследование прозрачных пленок
    - Режим распознавания слоев
    Новый режим распознавания слоев микроскопа LEXT OLS4100 анализирует пики интенсивности света, отраженного от множества слоев и устанавливает фокусные точки на поверхность каждого из них. Это позволяет быстро пере- ключаться между поверхностями слоев.
    - Исследование и измерение слоев прозрачных пленок
    Режим распознавания слоев упрощает наблюдение и измерение поверхности прозрачного слоя образца. Даже со слоем прозрачной смолы на стеклянной подложке можно измерить форму и неровности каждого слоя, а также толщину пленок

Семь режимов измерения:

  • Измерение высоты ступеньки
  • Измерение шероховатости поверхности
  • Измерение площади/объема
  • Измерение частиц*
  • Геометрические измерения
  • Измерение толщины пленки*
  • Автоматическое распознавание/измерение границ

Технические характеристики:

ОСНОВНОЙ ШТАТИВ

Модуль ЛСМ

Источник/детектор излучения

Источник излучения: полупроводниковый лазер с длиной волны 405 нм, детектор: фотоумножитель

Общее увеличение

108х – 17280х

Масштабирование

Оптическое увеличение: 1x – 8x

Измерение

Измерение на плоскости

Воспроизводимость

100x: 3σn-1 = 0,02 мкм

Точность

Значение измерения ±2°

Измерение высоты

Система

Система вертикального привода револьверной головки

Величина хода

10 мм

Разрешение шкалы

0,8 нм

Разрешение по оси Z

10 нм

Разрешение дисплея

1 нм 

Воспроизводимость

50x: σn-1 = 0,012 мкм 

Точность

0,2+L/100 мкм или менее (L = измеряемая длина)

Секция наблюдения цвета

Источник/детектор излучения

Источник излучения: белый светодиод,
Детектор: 1/1,8-дюймовый однопанельный CCD с разрешением 2 мегапикселя 1/1,8

Масштабирование

Цифровое увеличение 1x – 8x 

Револьверная головка

Моторизованный шестипозиционный револьвер светлопольных объективов

Модуль дифференциального интерференционного контраста 

ДИК - слайдер: U-DICR,
встроенный модуль с поляризующей пластиной

Объектив

План полуапохромат BF-типа 5x, 10x
Специализированный LEXT план полуапохромат 20x, 50x, 100x

Величина хода устройства фокусировки по оси Z

100 мм

XY предметный столик

100 x 100 мм (моторизованный предметный столик),
Опционально: 300 x 300 мм (моторизованный предметный столик)


ОБЪЕКТИВ

Модель

Увеличение

Поле обзора

Рабочее расстояние (РР)

Числовая апертура (ЧА)

MPLFLN5X

108x-864x

2,560-320 мкм

20,0 мм

0,15

MPLFLN10X

216x-1728x

1,280-160 мкм

11,0 мм

0,30

MPLAPON20XLEXT

432x-3456x

640-80 мкм

1,0 мм

0,60

MPLAPON50XLEXT

1080x-8640x

256-32 мкм

0,35 мм

0,95

MPLAPON100XLEXT

2160x-17280x

128-16 мкм

0,35 мм

0,95