Лазерный Cканирующий микроскоп OLYMPUS LEXT OLS4100

Лазерный сканирующий микроскоп OLYMPUS LEXT OLS4100

Микроскопы Olympus отвечают последним требованиям к точности измерения и расширяется область применения систем визуализации нано-уровня, Новый LEXT OLS4100 устанавливает новые стандарты в 3D лазерной микроскопии.

Преимущества лазерных сканирующих микроскопов:

• Бесконтактное, неразрушающее, быстрое отображение и измерение.
  – Бесконтактное, неразрушающее измерение
  Лазерные сканирующие микроскопы (ЛСМ) применяют маломощное лазерное излучение, которое не имеет механического контакта с образцом. Значит Вы не рискуете повредить Ваш образец, как в случае использования систем для измерения шероховатости контактного типа
  – Получение изображения без подготовки образца
  Сканирующий электронный микроскоп (СЭМ) требует качественной пробоподготовки перед наблюдением, такой как ионная бомбардировка или механическая обработка образца для придания образцу нужных размеров и форм, соответствующих рабочей камере. ЛСМ позволяет измерять образцы без какой-либо пробоподготовки образца. Кроме того, изображение можно получить сразу после размещения образца на предметном столике.
• Высококачественные измерения по осям X-Y
  – Точное измерение субмикронных расстояний по осям X-Y
  Так как интерферометр встроен в конструкцию оптического микроскопа, работающего в белом свете, его характеристики зависят от латерального разрешения оптического микроскопа. Используя объектив с более широкой апертурой и меньшую длину волны лазера, ЛСМ имеет более высокое латеральное разрешение. Лазерный фокус можно перемещать по интересующей поверхности с очень высокой точностью при помощи встроенной в микроскоп системы сканирования. На основании полученных изображений ЛСМ может осуществлять субмикронные измерения в плоскости X-Y с очень высоким разрешением на различных типах образцов. Латеральное разрешение микроскопа LEXT OLS4100 достигает 0,12 микрон.
• Высококачественные измерения в направлении оси Z
  – Точное измерение субмикронных высот в направлении оси Z
  ЭСМ позволяет получить изображения с высоким разрешением, но без информации о высоте. В ЛСМ используется коротковолновый полупроводниковый лазер и конфокальная оптическая система. За счет них микроскоп позволяет получать информацию только на фокусном расстоянии объектива, все остальное фильтруется. В сочетании с высокоточной линейной шкалой эти системы позволяют обрабатывать изображения с высоким разрешением и проводить точные 3D-измерения. Разрешение микроскопа LEXT OLS4100 по оси Z достигает 10 нанометров.

Более широкий диапазон задач:

• Отображение объектов с углом наклона до 85°
  Благодаря специально разработанным для Lext объективам с высокими значениями численных апертур и специальной оптической системе микроскопа LEXT OLS4100 можно достоверно измерять остроугольные образцы, которые ранее было невозможно измерить. Такая функция позволяет более точно измерять микронеровности на наклонной поверхности
• Измерения микропрофиля с разрешением по высоте 10 нанометров
  Благодаря коротковолновому лазерному излучению с длиной волны 405 нм и специ- альному объективу с более высокой апертурой доступно разрешение до 0,12 мкм в плоскости XY. Как результат, Lext OLS4100 позволяет проводить субмикронные измере- ния поверхности образца. Используя высокоточную линейную шкалу с разрешением 0,8 нм и функцию построения кривой I-Z (I-Z curve) (см. страницу 23), OLS4100 может различать разницу в высоте порядка 10 нанометров или меньше.
• Преодоление различий в отражающей способности
  Конструкция Lext OLS4100 отличается наличием двойной конфокальной системы, включающей две пиноли. В комбинации с высокочувствительной CCD-матрицей эта система позволяет получать оптимальную информацию о параметрах поверхности образца, состоящего из материалов с различными отражающими характеристиками.
• Исследование прозрачных пленок
  – Режим распознавания слоев
  Новый режим распознавания слоев микроскопа LEXT OLS4100 анализирует пики интенсивности света, отраженного от множества слоев и устанавливает фокусные точки на поверхность каждого из них. Это позволяет быстро пере- ключаться между поверхностями слоев.
  – Исследование и измерение слоев прозрачных пленок
  Режим распознавания слоев упрощает наблюдение и измерение поверхности прозрачного слоя образца. Даже со слоем прозрачной смолы на стеклянной подложке можно измерить форму и неровности каждого слоя, а также толщину пленок

Семь режимов измерения:

• Измерение высоты ступеньки
• Измерение шероховатости поверхности
• Измерение площади/объема
• Измерение частиц*
• Геометрические измерения
• Измерение толщины пленки*
• Автоматическое распознавание/измерение границ

Технические характеристики: